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BSP280

IGBT Transistor (N channel MOS input voltage-controlled High switch speed Very low tail current)

IGBT Transistor Preliminary Data ● VCE 1000 V ● I C 2.5 A ● N channel ● MOS input (voltage-controlled) ● High switch speed ● Very low tail current ● Latch-up free ● Suitable freewheeling diode BAX 280

文件:167.17 Kbytes 页数:5 Pages

SIEMENS

西门子

BSP280

IGBT Transistor (N channel MOS input voltage-controlled High switch speed Very low tail current)

Infineon

英飞凌

BSP297

SOT223-4

Infineon

英飞凌

上传:深圳市凌旭科技有限公司

BSP297H6327XTSA1

SOT223-4

Infineon

英飞凌

上传:深圳市凌旭科技有限公司

BSP315PH6327XTSA1

SOT-223

Infineon

英飞凌

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

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更多BSP28供应商 更新时间2025-11-24 16:30:00