BSP230中文资料P-channel vertical D-MOS intermediate level FET数据手册Nexperia规格书
BSP230规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode vertical Double-Diffused Field-Effect Transistor (D-MOSFET) in a SOT89 (SC-62) medium power and flat lead Surface Mounted Device (SMD) plastic package.
技术参数
- 型号：
BSP230
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RHC |
25+ |
QFP |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TDSON-8-4 |
50000 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
25+23+ |
SOT223 |
23363 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT-223 |
3200 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT223 |
15000 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT-223 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SOT-223 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
SOT223 |
4000 |
正品原装货价格低 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
N/A |
6000 |
原装，请咨询 |
询价 |
