BSP225中文资料P-channel vertical D-MOS intermediate level FET数据手册Nexperia规格书
BSP225规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode vertical Double-Diffused Field-Effect Transistor (D-MOSFET) in a SOT89 (SC-62) medium power and flat lead Surface Mounted Device (SMD) plastic package.
技术参数
- 型号:
BSP225
- 功能描述:
MOSFET P-CH DMOS 250V 225MA
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2023+ |
SOT-223 |
5800 |
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恩XP |
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恩XP |
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PHI |
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