BSP220中文资料P-channel vertical D-MOS intermediate level FET数据手册Nexperia规格书
BSP220规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode vertical Double-Diffused Field-Effect Transistor (D-MOSFET) in a SOT89 (SC-62) medium power and flat lead Surface Mounted Device (SMD) plastic package.
技术参数
- 型号:
BSP220
- 功能描述:
MOSFET TAPE-7 MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT223 |
5070 |
全新原装,价格优势,原厂原包 |
询价 | ||
恩XP |
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N/A |
6000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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恩XP |
25+ |
N/A |
6000 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT223 |
5000 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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INFINEO |
24+ |
SOT-223 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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恩XP |
23+ |
10000 |
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询价 | |||
恩XP |
2450+ |
SOT-223 |
9850 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
NA |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT223 |
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PHI |
23+ |
SOT223 |
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