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BY254G	文件：286.31 Kbytes Page：6 Pages	3A,200V-800VGlassPassivatedRectifier FEATURES ●Highefficiency,LowVF ●Highcurrentcapability ●Highreliability ●Highsurgecurrentcapability ●Lowpowerloss ●ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC ●Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 APPLICATIONS ●Switchingmodepowersup	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BY254G	文件：2.40594 Mbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeRectifierBY251GThroughBY255G Features Highefficiency Highcurrentcapabilty Highreliabity Highsurgecurrentcapability Lowpoweross Glasspassivatedchipjunction Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-8106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE

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BY254G

文件：286.31 Kbytes

Page：6 Pages

3A,200V-800VGlassPassivatedRectifier

FEATURES ●Highefficiency,LowVF ●Highcurrentcapability ●Highreliability ●Highsurgecurrentcapability ●Lowpowerloss ●ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC ●Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 APPLICATIONS ●Switchingmodepowersup

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC

BY254G

文件：2.40594 Mbytes

Page：3 Pages

GeneralPurposeRectifierBY251GThroughBY255G

Features Highefficiency Highcurrentcapabilty Highreliabity Highsurgecurrentcapability Lowpoweross Glasspassivatedchipjunction Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-8106

RFERFE international

RFE国际公司RFE国际股份有限公司

RFE

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详细参数

型号：
BSN254A
功能描述：
MOSFET AMMORA MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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详细参数

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