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BY254	文件：48.59 Kbytes Page：2 Pages	AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER FEATURES •Lowcoatconstruction •Lowforwardvoltagedrop •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecurrentcapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
BY254	文件：99.85 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifierDiodes-Silizium-Gleichrichterdioden	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BY254	文件：57.25 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUMCURRENTPLASTICRECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BY254	文件：207.14 Kbytes Page：2 Pages	AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER FEATURES •Lowcoatconstruction •Lowforwardvoltagedrop •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecurrentcapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
BY254	文件：47.98 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BY254	文件：515.789 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPS.SiliconRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BY254	文件：119.19 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUMCURRENTPLASTICRECTIFIER FEATURE •Highsurgecurrentcapability •PlasticpackagehasunderwriterslaboratoryFlammabilityclassification94V-O •Lowleakage •Void-freemoldedinDO-201ADplasticpackage •Highcurrentoperationof3AmperseatTA=95°Cwithnothermalrunaway •ExceedsenviromentalstandardofMIL	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
BY254	文件：233.54 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10seconds,0.375”(9.5mm)le	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BY254	文件：144.18 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMP.SILICONRECTIFIERS FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
BY254	文件：188.52 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifiers SiliconRectifiers NominalcurrentñNennstrom3A Repetitivepeakreversevoltage200--2000V Plasticcase~DO-201 Weightapprox.ñGewichtca.1g PlasticmaterialhasULclassification94V-0 Standardpackagingtapedinammopackseepage16	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec

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详细参数

型号：
BSN254
功能描述：
MOSFET AMMORA MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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