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BSN20-7中文资料美台半导体数据手册PDF规格书

BSN20-7
厂商型号

BSN20-7

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

丝印标识

N20

封装外壳

SOT-23

文件大小

122.19 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 9:38:00

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BSN20-7规格书详情

Description

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Features and Benefits

• Low On-Resistance

• Low Input Capacitance

• Fast Switching Speed

• Low Input/Output Leakage

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

Applications

• Backlighting

• DC-DC Converters

• Power Management Functions

产品属性

  • 型号:

    BSN20-7

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET

  • BVDSS:

    41V-60 41V-60V,SOT23,3K

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES
24+
SOT-23-3
61048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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Diodes(美台)
23+
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SOT23-3
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