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| 1+ |
- 厂家型号：
BSM50GX120DN2
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
20
- 产品封装：
MODULE
- 生产批号：
2023+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-7-18 16:10:00
首页>BSM50GX120DN2>芯片详情
BSM50GX120DN2_INFINEON/英飞凌_IGBT 模块中联芯一部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
BSM50GX120DN2
- 功能描述：
IGBT 模块
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 产品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
600 V
- 集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流：
230 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 封装/箱体：
34MM
供应商
- 企业：
深圳市中联芯电子有限公司
- 商铺：
- 联系人：
张先生
- 手机：
13714879722
- 询价：
- 电话：
13714879722/0755-82725103
- 传真：
0755-82701983
- 地址：
深圳市 福田区 振兴路 上步管理大厦 501栋402室
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