BSM50GD120DN2E 分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块 INFINEON/英飞凌

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1+	面议

厂家型号：
BSM50GD120DN2E
产品分类：
芯片
生产厂商：
INFINEON
库存数量：
7000
产品封装：
MODULE
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-1 15:01:00

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原厂料号：BSM50GD120DN2E品牌：INFINEON

BSM50GD120DN2E是分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。制造商INFINEON/Infineon Technologies生产封装MODULE/模块的BSM50GD120DN2E晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥；升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

芯片型号：
BSM50GD120DN2E3226
规格书：
下载
企业简称：
SIEMENS【西门子】详情
厂商全称：
Siemens Semiconductor Group
中文名称：
西门子股份公司
内容页数：
9 页
文件大小：
132.73 kb
资料说明：
IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate)

产品属性

类型
描述
产品编号：
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
托盘
配置：
三相反相器
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，50A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
模块
供应商器件封装：
模块
描述：
IGBT MOD 1200V 50A 350W

供应商

企业：
天津市博通航睿技术有限公司
商铺：
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联系人：
马总
手机：
18322198211
询价：
电话：
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天津市南开区科研西路12号356室

BSM50GD120DN2E 分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块 INFINEON/英飞凌

BSM50GD120DN2E

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