| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IGBT |
55 |
23+ |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
30000 |
23+ |
代理原装正品,假一赔十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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3500 |
2018+ |
全新原装真实库存含13点增值税票！ |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-62mm-2 |
914 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ROHM(罗姆) |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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MODULE |
68900 |
INFINION |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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EUPEC模块 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
6500 |
22+ |
只做原装正品现货!假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINIONMODULE |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
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EUPEC400A/1200V/I |
50 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
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INFINEON62mm |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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BSM400GA120DLC价格
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生产厂家品牌为INF的BSM400GA120DLC多少钱，想知道BSM400GA120DLC价格是多少？参考价：￥1320.6901。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSM400GA120DLC批发价格及采购报价，BSM400GA120DLC销售排行榜及行情走势，BSM400GA120DLC报价。
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BSM400GA120DN2模块，BSM400GA120DN2价格，采购在腾迅辉，BSM400GA120DN2全新原装
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BSM400G120DLC中文资料Alldatasheet PDF
更多BSM400GA120DL制造商:SIEMENS 功能描述:400
BSM400GA120DLC功能描述:IGBT 模块 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DLC_04制造商:EUPEC 制造商全称:EUPEC 功能描述:62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode
BSM400GA120DLCS功能描述:IGBT 模块 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2功能描述:IGBT 模块 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2C功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2F功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2FS功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2FS_E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2FSE32HOSA1制造商:Infineon Technologies AG
