选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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SIEMENSMODULE |
2100 |
17+ |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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SIEMENSMODULE |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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SIEMENSMODULE |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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天津市博通航睿技术有限公司2年
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7000 |
23+ |
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
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Infineon Technologies |
30000 |
原装现货,支持实单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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INFINEON |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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天津市博通航睿技术有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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INFINEON |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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BSM300GA160DN13C图片
BSM300GA160DN13C_E3212中文资料Alldatasheet PDF
更多BSM300GA160DN13C_B7功能描述:IGBT 模块 IGBT 1600V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM300GA160DN13C_E3212功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: