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BSM200GAR120DN2_EUPEC_IGBT 模块 1200V 200A GAR CH纳艾斯

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号：

    BSM200GAR120DN2

  • 产品分类：

    芯片

  • 生产厂商：

    EUPEC

  • 库存数量：

    6000

  • 产品封装：

    module

  • 生产批号：

    24+

  • 库存类型：

    常用库存

  • 更新时间：

    2025-10-30 22:30:00

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原厂料号：BSM200GAR120DN2品牌：EUPEC

全新原装正品现货 假一赔佰

  • 芯片型号：

    BSM200GAR120DN2

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    EUPEC详情

  • 厂商全称：

    eupec GmbH

  • 资料说明：

    IGBT 模块 1200V 200A GAR CH

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    BSM200GAR120DN2

  • 功能描述：

    IGBT 模块 1200V 200A GAR CH

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 产品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO：

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压：

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流：

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作温度：

    + 125 C

  • 封装/箱体：

    34MM

供应商

  • 企业：

    深圳市纳艾斯科技有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    肖小姐

  • 手机：

    13715178826

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    深圳市福田区华强北路赛格大厦5803A

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