订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>BSM200GA170DN2>芯片详情
BSM200GA170DN2_EUPEC/欧派克_IGBT 模块 N-CH 1.7KV 290A佳杰伟业
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
BSM200GA170DN2
- 功能描述:
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 290A
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 产品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO:
600 V
- 集电极—射极饱和电压:
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流:
230 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作温度:
+ 125 C
- 封装/箱体:
34MM
供应商
- 企业:
深圳市佳杰伟业科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
张小姐/张先生
- 手机:
18165782726
- 询价:
- 电话:
0755-82731845/82571165
- 传真:
0755-82796321
- 地址:
深圳市福田区华强北振兴路华匀1栋408
相近型号
- BSM200GA170DLCC
- BSM200GA170DN2SE3256
- BSM200GA170DLC_S4
- BSM200GA170DLC
- BSM200GA160DN1S
- BSM200GA4120DN
- BSM200GA160DN11S
- BSM200GA4120DN2
- BSM200GA160DA10
- BSM200GAL120D
- BSM200GA160D
- BSM200GAL120DL
- BSM200GA12DLC
- BSM200GAL120DLC
- BSM200GA120ND2_E3256
- BSM200GAL120DN
- BSM200GAL120DN2
- BSM200GA120DNS
- BSM200GAL120DN2(DLC)
- BSM200GA120DND
- BSM200GAL60DLC
- BSM200GAR1200D
- BSM200GAR1200DN2
- BSM200GA120DN2SE3256
- BSM200GAR120D
- BSM200GA120DN2SE32
- BSM200GAR120DLC
- BSM200GA120DN2SE
- BSM200GAR120DN
- BSM200GAR120DN2
- BSM200GA120DN2S3256
- BSM200GAR122D
- BSM200GAR60DLC
- BSM200GA120DN2S
- BSM200GB
- BSM200GB120
- BSM200GA120DN2HOSA1
- BSM200GB120D
- BSM200GB120DDL
- BSM200GB120DL
- BSM200GB120DLC
- BSM200GA120DN2FS-E32
- BSM200GB120DLC_E3256
- BSM200GB120DLCB
- BSM200GA120DN2FS_E
- BSM200GB120DLCE3256
- BSM200GA120DN2FS
- BSM200GB120DLC-E3256
- BSM200GA120DN2F
- BSM200GB120DLCHOSA1