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BSM100GAR120DN2

Infineon
NA

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

相关企业:浙江永芯科技有限公司

BSM100GAR120DN2

EUPEC
MODULE

eupec

eupec GmbH

相关企业:深圳市安富世纪电子有限公司

BSM100GAR120DN2

Infineon
Tray

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

相关企业:中宸芯科技(深圳)有限公司

BSM100GAR120DN2K

INFINEON
IGBT

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

相关企业:深圳市安富世纪电子有限公司

BSM100GAR120DN2

Infineon
NA

EONEon Silicon Solution Inc.

宜扬科技宜扬科技股份有限公司

相关企业:浙江永芯科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    BSM100GAR120DN

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 1200V 100A DUAL

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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更多BSM100GAR120DN供应商 更新时间2025-7-25 16:30:00