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BSL307SP	文件：78.34 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS -P Small-Signal-Transistor 文件：78.34 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSL307SP	文件：112.79 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-P Small-Signal-Transistor 文件：112.79 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSL307SP	文件：476.53 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??P Small-Signal-Transistor 文件：476.53 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSL307SP	文件：1.85771 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.85771 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
BSL307SP_07	文件：112.79 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-P Small-Signal-Transistor 文件：112.79 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSL307SP_14	文件：476.53 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??P Small-Signal-Transistor 文件：476.53 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSL307SP	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-30 V，TSOP-6 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多BSL307SP供应商更新时间2025-11-30 23:00:00