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BSL307SP | OptiMOS -P Small-Signal-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
BSL307SP | OptiMOS-P Small-Signal-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
BSL307SP | OptiMOS??P Small-Signal-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
BSL307SP | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | |
OptiMOS-P Small-Signal-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS??P Small-Signal-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
详细参数
- 型号：
BSL307SP
- 功能描述：
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
OptiMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
10048 |
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SOT23-6 |
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INFINEON/英飞凌 |
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SOT23-6 |
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