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BSH111BK	文件：742.71 Kbytes Page：16 Pages	丝印：4T；Package：TO-236AB；55 V, N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ElectroStatic 文件：742.71 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSH111BK_15	文件：289.04 Kbytes Page：16 Pages	55 V, N-channel Trench MOSFET 文件：289.04 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BSH111BK	文件：300 bytes Page：1 Pages	55 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 3 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
BSM111	文件：216.54 Kbytes Page：9 Pages	SIMOPAC Module (Power module Single switch N channel Enhancement mode) SIMOPAC® Module VDS = 100 V ID = 200 A RDS(on) = 8.5 mΩ ●Power module ●Single switch ●N channel ●Enhancement mode ●Package with insulated metal base plate ●Package outline/Circuit diagram: 11) 文件：216.54 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM111AR	文件：216.54 Kbytes Page：9 Pages	SIMOPAC Module (Power module Single switch N channel Enhancement mode) SIMOPAC® Module VDS = 100 V ID = 200 A RDS(on) = 8.5 mΩ ●Power module ●Single switch ●N channel ●Enhancement mode ●Package with insulated metal base plate ●Package outline/Circuit diagram: 11) 文件：216.54 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BT111	文件：1.53422 Mbytes Page：54 Pages	Bluetooth Smart Ready HCI Module 文件：1.53422 Mbytes 页数：54 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
55
VGS [max] (V)：
10
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
4000
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
5000
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.21
QGD [typ] (nC)：
0.16
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.5
Ptot [max] (W)：
0.302
VGSth [typ] (V)：
1
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
19.099998
Coss [typ] (pF)：
2.7
Release date：
2014-11-26

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更多BSH111BK供应商更新时间2026-1-25 11:02:00

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