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BSD3C031L	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
BSD3C031LX	文件：300 bytes Page：1 Pages	1-Line Low Capacitance Bi-directional TVS Diode	TWTLsemi 腾领	TWTLsemi
BSD3C031V	文件：475.56 Kbytes Page：4 Pages	Microprocessor based equipment Features 480Watts peak pulse power (tp =8/20μs) Bidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 20A(8/20μs) 文件：475.56 Kbytes 页数：4 Pages	UMW 友台半导体	UMW
BSG0810NDI	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON TSDSON-8	Infineon 英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	Infineon
BSG0810NDI	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON/英飞凌 TDSON-8	INFINEON/英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON/英飞凌

技术参数

Vbr.min(V)：
4
Cj.max(PF)：
1.2
Ppp(W)@8/20µS：
350
Ipp(A)@8/20µS：
20
Ir.max(µA)：
19
ESD Contact(kv)：
30
Package：
SOD323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	BSD3C031L		23+	SMD	618000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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