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BSC440N10NS3 G

N 沟道功率 MOSFET

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。 • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

Infineon

英飞凌

BSC440N10NS3G

OptiMOS3 Power-Transistor

文件:468.02 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

BSZ440N10NS3G

OptiMOS?? Power-Transistor

文件:178.06 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSC500N20NS3G

TDSON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

BSC500N20NS3G

TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSC440N10NS3GATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TDSON-8

  • VDS max:

    100 V

  • RDS (on) @10V max:

    44 mΩ

  • ID @25°C max:

    18 A

  • QG typ @10V:

    8.1 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BSC440N10NS3供应商 更新时间2025-11-24 16:03:00