丝印：160N15SC；Package：PG-WSON-8；OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V

Features • Dual-side cooled package with lowest junction-top thermal resistance • N-channel, normal level • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS com

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OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V

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N 沟道功率 MOSFET

英飞凌新推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 R DS(on)（与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25％）和 Q rr，而不影响 FOM gd 和 FOM OSS，从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外，超低反向恢复电荷（在 SuperSO8 中，Q rr = 26 nC）提高了换流坚固性。 • 降低 RDS(on)而不影响 FOMgd和 FOMoss\n• 降低输出电荷\n• 超低反向恢复电荷\n• 提高换流坚固性\n• 可以提高开关频率\n\n优势:\n• 减少并联\n• 使用出色的 SuperSO8 缩小尺寸\n• 更高的功率密度设计\n• 更坚固的产品\n• 降低系统成本\n• 改善电磁干扰行为;

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OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 150 V，采用 SuperSO8 DSC 封装，具有双面冷却功能，可增强热性能

\n优势:\n• Lower conduction losses and switching losses for higher system efficiency\n• Improved heat dissipation for high power density and improved reliability\n• Superior power handling capability and ruggedness for longer lifetime\n• Drop-in replacement for SuperSO8 and PQFN 5x6 easy to design-in,;

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