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BSC120N12LS G中文资料OptiMOS ™ 3 个逻辑电平为 120V 的功率 MOSFET 在小型封装中提供低 RDS(on)数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BSC120N12LS G

功能描述

OptiMOS ™ 3 个逻辑电平为 120V 的功率 MOSFET 在小型封装中提供低 RDS(on)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 12:52:00

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BSC120N12LS G规格书详情

特性 Features


优势:
• Higher power density designs
• Higher switching frequency
• Reduced parts count wherever 5V supplies are available
• Driven directly from microcontrollers (slow switching)
• System cost reduction

应用 Application

• Charger
• Adapter
• Telecom

技术参数

  • 制造商编号

    :BSC120N12LS G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :BSC120N12LSGATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TDSON-8

  • VDS max

    :120 V

  • RDS (on) @10V max

    :12 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :14.2 mΩ

  • ID @25°C max

    :68 A

  • QG typ @10V

    :51 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • VGS(th) min

    :1.2 V

  • VGS(th) max

    :2.4 V

  • VGS(th)

    :1.85 V

  • Technology

    :OptiMOS™ 2

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