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BSC110N15NS5数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

BSC110N15NS5

功能描述

20V-300V N-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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BSC110N15NS5规格书详情

描述 Description

英飞凌新推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 R DS(on)(与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25%)和 Q rr,而不影响 FOM gd 和 FOM OSS,从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外,超低反向恢复电荷(在 SuperSO8 中,Q rr = 26 nC)提高了换流坚固性。

特性 Features

• 降低 RDS(on)而不影响 FOMgd和 FOMoss
• 降低输出电荷
• 超低反向恢复电荷
• 提高换流坚固性
• 可以提高开关频率

优势:
• 减少并联
• 使用出色的 SuperSO8 缩小尺寸
• 更高的功率密度设计
• 更坚固的产品
• 降低系统成本
• 改善电磁干扰行为

应用 Application

• 低压驱动器
• 通信
• 太阳能

技术参数

  • 制造商编号

    :BSC110N15NS5

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :BSC110N15NS5ATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TDSON-8

  • VDS max

    :150 V

  • RDS (on) @10V max

    :11 mΩ

  • ID @25°C max

    :76 A

  • QG typ @10V

    :28 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • VGS(th) min

    :3 V

  • VGS(th) max

    :4.6 V

  • Technology

    :OptiMOS™ 5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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