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BSC0921NDI	文件：33.34 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.34 Kbytes 页数：1 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC0921NDI	文件：759.51 Kbytes Page：14 Pages	Dual N-Channel OptiMOS??MOSFET 文件：759.51 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC0921NDI_15	文件：33.34 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.34 Kbytes 页数：1 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC0921NDI	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET 极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，以及延长电池寿命。可用于半桥配置（功率级 5x6） • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻，小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现，无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多BSC0921NDI供应商更新时间2026-1-25 10:02:00