丝印：088N15LS；Package：PG-TDSON-8；MOSFET OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V

Features • N-channel, logic level • Very low on-resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

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CoolSiC ™汽车 MOSFET 750 V G1 是一款高度坚固的 SiC MOSFET，可实现系统性能和可靠性的最佳组合

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平 150 V 系列提供与 OptiMOS ™ 5 150 V 产品相同的出色性能，并且仅需 4.5 V 的 Vgs 即可运行。BSC088N15LS5 具有 8.8/12 mOhm（VGS = 10 V/4.5 V）的超低 RDS(on) 和 21 nC（VGS = 4.5 V）的超低 Qg，采用行业标准 SuperSO8 封装，可在小型轻量级 USB-PD EPR 充电器和适配器应用中实现最佳热管理。 • 具有竞争力的 RDS(on) 水平\n• 极低的开关损耗\n• 针对 VGS = 4.5 V 进行了全面优化\n• 针对提供 5 V 的 SR 量身定制;

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