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BSC084P03NS3 G	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC084P03NS3EG	文件：290.34 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS P3 Power-Transistor 文件：290.34 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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BSC084P03NS3G	文件：33.42 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.42 Kbytes 页数：1 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC084P03NS3G	文件：287.38 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS P3 Power-Transistor 文件：287.38 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSC084P03NS3GATMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-TDSON-8
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
8.4 mΩ
ID @25°C max：
-78.6 A
QG typ @10V：
43 nC
VGS(th) min：
-3.1 V
VGS(th) max：
-1.9 V
Technology：
OptiMOS™ P3

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更多BSC084P03NS3_G供应商更新时间2025-11-23 11:10:00

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