丝印：070N10N5；Package：PG-TDSON-8；Superior thermal resistance

Features •OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync.rec. •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

文件：1.22192 Mbytes 页数：12 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 100 V，采用 SuperSO8 5x6 封装

OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，这些器件还可以在其他工业应用中使用，例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型 OptiMOS™ 5 100V MOSFET 采用七种不同封装，提供了行业内较低 R DS(on)。 • 针对同步整流进行优化\n• 非常适合高开关频率\n• 输出电容降低高达 44%\n• 与前一代相比降低高达 43%\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 降低开关和通态损耗\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 低电压过冲;

Infineon

英飞凌

Superior thermal resistance

Features •OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync.rec. •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

文件：1.22192 Mbytes 页数：12 Pages

INFINEON

英飞凌

丝印：070N10SC；Package：PG-WSON-8-2；OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V

文件：991.58 Kbytes 页数：11 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS ™ 5 100 V 功率 MOSFET，采用 SuperSO8 DSC 封装，具有双面冷却功能，可增强热性能

\n优势:\n• Improved heat dissipation\n• Superior thermal resistance\n• Drop-in replacement in designs using SuperSO8 package\n• Low conduction and switching losses;

Infineon

英飞凌