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BSC070N10LS5	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS ™ 5 逻辑级功率 MOSFET 在小型封装中提供低 RDS(on) • Low R DS(on) in small package\n• Low gate charge\n• Lower output charge\n• Logic level compatibility\n\n优势:\n• Higher power density designs\n• Higher switching frequency\n• Reduced parts count wherever 5V supplies are available\n• Driven directly from microcontrollers (slow switching)\n• System co;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC070N10LS5	文件：1.08135 Mbytes Page：12 Pages	丝印：070N10L5；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V 文件：1.08135 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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更多BSC070N10LS5供应商更新时间2026-1-27 9:04:00