丝印：065N06LS；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件：1.11577 Mbytes 页数：12 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平在小型封装中提供低 RDS(on)

英飞凌的逻辑电平OptiMOS™5功率MOSFET非常适合无线充电，适配器和电信应用。在不损失通态损耗的情况下，器件的低栅极电荷（Q g）可降低开关损耗改进的品质因数允许在高开关频率下操作。此外，逻辑电平驱动器提供低栅极阈值电压（V GS（th）），允许MOSFET在5V的条件下直接从微控制器驱动。 • 低 R DS(on) ，采用小型包装\n• 低栅极电荷\n• 降低输出电荷\n• 逻辑电平兼容\n\n优势:\n• 更高的功率密度设计\n• 更高的开关频率\n• 在可用5V电源的地方减少了部件数量\n• 直接从微控制器驱动（慢速切换）\n• 降低系统成本;

Infineon

英飞凌

OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件：1.11577 Mbytes 页数：12 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件：1.4517 Mbytes 页数：11 Pages

Infineon

英飞凌