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BSC042NE7NS3 G

N 沟道功率 MOSFET

75V OptiMOS™技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术,这些75V产品同时具有极低的导通电阻和出色的开关性能。 • 针对同步整流进行技术优化\n• 优异的开关性能\n• 世界较低的 (RDs(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)\n• 符合 RohS - 无卤素\n• MSL3 评级\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少所需的并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

Infineon

英飞凌

BSC042NE7NS3G

OptiMOS3 Power-Transistor

文件:327.15 Kbytes 页数:9 Pages

INFINEON

英飞凌

BSC042NE7NS3G

TDSON-8

BSC042NE7NS3G

TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

INFINEON/英飞凌

BSC042NE7NS3GATMA1

TDSON-8

INFINEON

英飞凌

上传:上海皇华信息科技有限公司

技术参数

  • OPN:

    BSC042NE7NS3GATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TDSON-8

  • VDS max:

    75 V

  • RDS (on) @10V max:

    4.2 mΩ

  • ID @25°C max:

    100 A

  • QG typ @10V:

    52 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 3

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更多BSC042NE7NS供应商 更新时间2026-1-31 10:06:00