OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 具有增强的温度额定值，可提高 SuperSO8 封装的稳健性

OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 采用最新的技术，并在封装温度方面进行了改进。这种新的组合可实现更高的功率密度和更高的耐用性。与额定值较低的器件相比，175°C TJ_MAX 功能要么在更高的工作结温下提供更多的功率，要么在相同的工作结温下提供更长的使用寿命。 • SuperSO8 封装增强了 175°C 耐高温能力\n• 非常适合高开关频率;

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丝印：037N08NT；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V

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Superior thermal resistance

Features •OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync.rec. •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

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