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BSC035N10NS5

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外,这些器件还可以在其他工业应用中使用,例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型 OptiMOS™ 5 100V MOSFET 采用七种不同封装,提供了行业内较低 R DS(on)。 • 针对同步整流进行优化\n• 非常适合高开关频率\n• 输出电容降低高达 44%\n• 与前一代相比降低高达 43%\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 降低开关和通态损耗\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 低电压过冲;

Infineon

英飞凌

BSC035N10NS5

Superior thermal resistance

文件:1.24321 Mbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

BSC036NE7NS3G

TDSON-8

英飞凌/实单必成

上传:深圳市拓芯泰电子科技有限公司

英飞凌/实单必成

BSC039N06NS

N/A

英飞凌

BSC040N08NS5

TDSON-8

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市金芯世纪电子有限公司

技术参数

  • OPN:

    BSC035N10NS5ATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TDSON-8

  • VDS max:

    100 V

  • RDS (on) @10V max:

    3.5 mΩ

  • ID @25°C max:

    100 A

  • QG typ @10V:

    70 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BSC035N10NS5供应商 更新时间2026-2-8 10:28:00