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BSC020N03LSG

丝印:020N03LS;Package:PG-TDSON-8;OptiMOS?? Power-MOSFET

Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel; Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • Avalanc

文件:685.38 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

BSC020N03LS

OptiMOS?? Power-MOSFET

文件:392.9 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

BSC020N03LSG

OptiMOS?? Power-MOSFET

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Infineon

英飞凌

BSC020N03LS G

N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    BSC020N03L

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon
22+
QFN
5000
鍙仛杩涘彛鍘熻
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HOLTEK
22+
sot
6600
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。
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Infineon(英飞凌)
24+
TDSON-8
5524
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持
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INFINEON
22+
TDSON-8
5000
原盒原标 假一罚十
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INFINEON
23+
DTSON8
5000
英飞凌汽车电子优势
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INFINEON/英飞凌
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INFINEON/英飞凌
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更多BSC020N03L供应商 更新时间2025-11-24 14:16:00