丝印：019N04NS；Package：PG-TDSON-8；OptiMOS?? Power-Transistor

文件：387.84 Kbytes 页数：10 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

文件：1.89577 Mbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和台式机。此外，这些器件可用于电机控制变器和快速开关直流-直流转换器等广泛工业应用。\n   • 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）\n• 极低的导通电阻 R DS(on)\n• 快速开关应用的理想之选\n• 符合 RoHS - 无卤素\n• MSL1 评级\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 减少所需的并联\n• 增加功率密度\n• 降低系统成本\n• 非常低的电压过冲\n \n  ;

Infineon

英飞凌

40V N-Ch Power MOSFET

Feature ◇ High Speed Power Switching ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free, Halogen Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ DC/DC in Telecoms and I

文件：1.25025 Mbytes 页数：7 Pages

HUNTECK

恒泰柯半导体

40V N-Ch Power MOSFET

Feature ◇ High Speed Power Switching ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free, Halogen Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ DC/DC in Telecoms and I

文件：1.25025 Mbytes 页数：7 Pages

HUNTECK

恒泰柯半导体

40V N-Ch Power MOSFET

Feature ◇ High Speed Power Switching ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free, Halogen Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ DC/DC in Telecoms and I

文件：1.25025 Mbytes 页数：7 Pages

HUNTECK

恒泰柯半导体