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BSC016N03MS G

N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

Infineon

英飞凌

BSC016N03MSG

OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET

文件:298.38 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

BSC016N03LSG

OptiMOS?? Power-MOSFET

Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • Avala

文件:393.08 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

BSC016N04LSG

TDSON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

BSC016N04LSG

TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSC016N03MSGATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TDSON-8

  • VDS max:

    30 V

  • RDS (on) @10V max:

    1.6 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    2 mΩ

  • ID @25°C max:

    100 A

  • QG typ @10V:

    130 nC

  • QG typ @4.5V:

    63 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • VGS(th) min:

    1 V

  • VGS(th) max:

    2 V

  • Technology:

    OptiMOS™ 3 M-Series

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更多BSC016N03MS G供应商 更新时间2025-11-25 16:30:00