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BSB056N10NN3 G数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

BSB056N10NN3 G

功能描述

20V-300V N-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 10:17:00

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BSB056N10NN3 G规格书详情

描述 Description

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。

特性 Features

• 优异的开关性能
• 世界较低的 (R Ds(on))
• 极低的 Qg 和 Qgd
• 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)
• 符合 RoHS 标准 - 无卤素
• MSL1 评级 2

优势:
• 环保
• 提高效率
• 极高的功率密度
• 减少并联
• 极低的板空间消耗
• 产品易于设计

应用 Application

• AC-DC SMPS的同步整流
• 48V-80V 系统的电机控制(即家用车辆、电动工具、卡车)
• 隔离式 DC-DC 转换器(电讯和数据通信系统)
• 48V系统的开关和断路器
• D 类音频放大器
• 不间断电源 (UPS)

技术参数

  • 制造商编号

    :BSB056N10NN3 G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :BSB056N10NN3GXUMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :DirectFET MN (MG-WDSON-2)

  • VDS max

    :100 V

  • RDS (on) @10V max

    :5.6 mΩ

  • ID @25°C max

    :83 A

  • QG typ @10V

    :56 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-40 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • Technology

    :OptiMOS™ 3

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