首页>BSB017N03LX3 G>规格书详情
BSB017N03LX3 G数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 制造商编号
：BSB017N03LX3 G
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：32A（Ta），147A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：4.5V，10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：1.7 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：2.2V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：102nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：7800pF @ 15V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：2.8W（Ta），57W（Tc）
- 工作温度
：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：MG-WDSON-2，CanPAK M™
- 封装/外壳
：3-WDSON
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
258 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
MG-WDSON-2 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
INENOI |
20+ |
MG-WDSON-2 |
2000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
MG-WDSON-2 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON |
2016+ |
QFN |
6523 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
9 |
2WDSON |
704 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
2WDSON |
24373 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
INFINEON |
25+23+ |
QFN |
12867 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
3WDSON |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
