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BSB012N03LX3_INFINEON/英飞凌_MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH诺美思科技
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:BSB012N03LX3
- 生产厂家
:英飞凌
- 技术
:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss)
:30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:39A(Ta),180A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
:4.5V,10V
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:1.2 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:2.2V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:169nC @ 10V
- Vgs(最大值)
:±20V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:16900pF @ 15V
- FET 功能
:-
- 功率耗散(最大值)
:2.8W(Ta),89W(Tc)
- 工作温度
:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 供应商器件封装
:MG-WDSON-2,CanPAK M™
- 封装/外壳
:3-WDSON
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