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BS270

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can b

文件:348.16 Kbytes 页数:10 Pages

Fairchild

仙童半导体

BS270

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:542.08 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BS270

N 沟道增强模式场效应晶体管 60V,400mA,2Ω

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 可用于需要 500mA 直流电流的大部分应用中。 这款产品特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器)以及其他开关应用中。 •400 mA,60 V。RDS(ON) = 2 Ω (VGS = 10 V 时)。\n•电压控制的小型信号开关。\n•高饱和电流能力。\n;

ONSEMI

安森美半导体

C-270-K

Coils and Chokes for general use

文件:192.91 Kbytes 页数:1 Pages

PREMO

普莱默

CA-270

1/2 Disc Thermostats - Automatic Reset

文件:50.75 Kbytes 页数:3 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

CA-270

Aluminium enclosures CA series

文件:632.27 Kbytes 页数:18 Pages

Bernstein

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    2.5

  • ID Max (A):

    400

  • PD Max (W):

    0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    2000

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    0.6

  • Ciss Typ (pF):

    20

  • Package Type:

    TO-92-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BS270供应商 更新时间2025-12-24 19:58:00