BS170中文资料N-channel vertical D-MOS transistor数据手册恩XP规格书
BS170规格书详情
描述 Description
DESCRIPTION
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in TO-92 variant envelope and intended for use in relay, high-speed and line-transformer drivers.FEATURES
• Very low RDS(on).
• Direct interface to C-MOS, TTL, etc.
• High-speed switching.
• No secondary breakdown.
特性 Features
• Very low RDS(on).
• Direct interface to C-MOS, TTL, etc.
• High-speed switching.
• No secondary breakdown.
技术参数
- 型号：
BS170
- 功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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TO-92 |
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TO-92 |
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23+ |
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仙童 |
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ON/安森美 |
23+ |
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