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TPA6130A2YZH	文件：1.15897 Mbytes Page：26 Pages	丝印：BRU；Package：BGA-161.9x1.9；138-mW DIRECTPATH STEREO HEADPHONE AMPLIFIER WITH I2C VOLUME CONTROL 文件：1.15897 Mbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI
TPA6130A2YZH	文件：1.16991 Mbytes Page：29 Pages	丝印：BRU；Package：BGA-161.9x1.9；138-mW DIRECTPATH STEREO HEADPHONE AMPLIFIER WITH I2C VOLUME CONTROL 文件：1.16991 Mbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
BRU04SF	文件：518.35 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage Medium and High Current Diodes 文件：518.35 Kbytes 页数：2 Pages	GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD 格特电子广州市格特电子有限公司	GETEDZ
BRU10SF	文件：527.78 Kbytes Page：2 Pages	250mA 10kV 75nS -High Voltage Medium and High Current Diodes 文件：527.78 Kbytes 页数：2 Pages	GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD 格特电子广州市格特电子有限公司	GETEDZ
BRU10SF	文件：517.64 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage Medium and High Current Diodes 文件：517.64 Kbytes 页数：2 Pages	GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD 格特电子广州市格特电子有限公司	GETEDZ
BRU10SF_17	文件：517.64 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage Medium and High Current Diodes 文件：517.64 Kbytes 页数：2 Pages	GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD 格特电子广州市格特电子有限公司	GETEDZ
BRU20N50	文件：942.53 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package 文件：942.53 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
BRU20N90	文件：1.05074 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package 文件：1.05074 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
BRUBS1906TE	文件：476.88 Kbytes Page：3 Pages	LED Backlights 文件：476.88 Kbytes 页数：3 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BRUBS3604TE	文件：476.88 Kbytes Page：3 Pages	LED Backlights 文件：476.88 Kbytes 页数：3 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
BRU
制造商：
TI
制造商全称：
Texas Instruments
功能描述：
138-mW DIRECTPATH STEREO HEADPHONE AMPLIFIER WITH I2C VOLUME CONTROL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BRU供应商更新时间2025-9-13 17:06:00

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