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BRF2N65	文件：1.73444 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package 文件：1.73444 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
BRF2N65	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOS＞200V	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
HFD2N65S	文件：871.49 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：871.49 Kbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
HFU2N65S	文件：871.49 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：871.49 Kbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
RT2N65M	文件：137.36 Kbytes Page：4 Pages	Composite Transistor For Muting Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT2N65M is a composite transistor with built-in bias resistor FEATURE ● Built-in bias resistor ( R1=10 KΩ) ● Mini package for easy mounting APPLICATION muting circuit、 switching circuit 文件：137.36 Kbytes 页数：4 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA

技术参数

PD：
23 (W)
ID：
2 (A)
V(BR) DSS：
650 (V)
RDS(on) (MAX)：
6.5 Ω 1 ID(A) 10 VGS(V)
VGS(Th)：
2.0~4.0 V 250 ID(μA)
封装：
TO-220F Package

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更多BRF2N65供应商更新时间2026-4-18 9:01:00

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