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BRD4N60	文件：733.66 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package 文件：733.66 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
BRD4N60	文件：1.92671 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.92671 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
BRD4N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOS＞200V	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
MGP4N60E	文件：124.46 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications 文件：124.46 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MGP4N60E	文件：120.94 Kbytes Page：5 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications 文件：120.94 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGP4N60ED	文件：146.13 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co–packaged with a soft recovery ultra–fast rectifier and uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–block 文件：146.13 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

PD：
50 (W)
ID：
16 (A)
V(BR) DSS：
600 (V)
RDS(on) (MAX)：
2.5 Ω 2 ID(A) 10 VGS(V)
VGS(Th)：
2.0~4.0 V 250 ID(μA)
封装：
TO-252 Package

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