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BR93L76RFVT-W中文资料Microwire BUS 8kbit(512x16bit) EEPROM数据手册ROHM规格书

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厂商型号

BR93L76RFVT-W

参数属性

BR93L76RFVT-W 封装/外壳为8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC EEPROM 8KBIT SPI 2MHZ 8TSSOPB

功能描述

Microwire BUS 8kbit(512x16bit) EEPROM
IC EEPROM 8KBIT SPI 2MHZ 8TSSOPB

封装外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 18:47:00

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BR93L76RFVT-W规格书详情

特性 Features

•与Microwire BUS兼容的串行EEPROM
•工作电压范围宽: 1.8~5.5V
•数据可擦写1,000,000次

简介

BR93L76RFVT-W属于集成电路(IC)的存储器。由制造生产的BR93L76RFVT-W存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BR93L76RFVT-W

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TSSOP-B8

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :BR93L-W

  • Density [bit]

    :8K

  • Bit Format [Word x Bit]

    :512 x 16

  • Vcc(Min.)[V]

    :1.8

  • Vcc(Max.)[V]

    :5.5

  • Circuit Current (Max.)[mA]

    :3

  • Standby Current (Max.)[μA]

    :2

  • Write Cycle (Max.)[ms]

    :5

  • Input Frequency (Max.)[Hz]

    :2M

  • Endurance (Max.)[Cycle]

    :10(6)

  • Data Retention (Max.)[Year]

    :40

  • I/F

    :MicroWire BUS(3-Wire)

  • Operating Temperature (Min.)[°C]

    :-40

  • Operating Temperature (Max.)[°C]

    :85

  • Package Size [mm]

    :3x6.4 (t=1.2)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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