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BR93L76RFV-W	文件：320.79 Kbytes Page：6 Pages	Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM ROHMs series of serial EEPROMs represent the highest level of reliability on the market. A double cell structure provides a failsafe method of data reliability, while a double reset function prevents data miswriting. In addition, gold pads and gold wires are used for internal connections, pushing 文件：320.79 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L76RFV-WE2	文件：1.97777 Mbytes Page：41 Pages	High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series 文件：1.97777 Mbytes 页数：41 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L76RFV-WE2	文件：1.24202 Mbytes Page：39 Pages	Microwire BUS EEPROM 文件：1.24202 Mbytes 页数：39 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L76RFV-W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Microwire BUS 8kbit(512x16bit) EEPROM 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •与Microwire BUS兼容的串行EEPROM\n•工作电压范围宽: 1.8～5.5V\n•数据可擦写1,000,000次;	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L76RFV-WE2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC EEPROM 8KBIT SPI 2MHZ 8SSOPB	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
SSOP-B8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Series：
BR93L-W
Density [bit]：
8K
Bit Format [Word x Bit]：
512 x 16
Vcc(Min.)[V]：
1.8
Vcc(Max.)[V]：
5.5
Circuit Current (Max.)[mA]：
3
Standby Current (Max.)[μA]：
2
Write Cycle (Max.)[ms]：
5
Input Frequency (Max.)[Hz]：
2M
Endurance (Max.)[Cycle]：
10(6)
Data Retention (Max.)[Year]：
40
I/F：
MicroWire BUS(3-Wire)
Operating Temperature (Min.)[°C]：
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]：
85
Package Size [mm]：
3x6.4 (t=1.35)

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