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BR93L66FJ-W	文件：339.66 Kbytes Page：6 Pages	Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM ROHMs series of serial EEPROMs represent the highest level of reliability on the market. A double cell structure provides a failsafe method of data reliability, while a double reset function prevents data miswriting. In addition, gold pads and gold wires are used for internal connections, pushing 文件：339.66 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L66FVT-W	文件：339.66 Kbytes Page：6 Pages	Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM ROHMs series of serial EEPROMs represent the highest level of reliability on the market. A double cell structure provides a failsafe method of data reliability, while a double reset function prevents data miswriting. In addition, gold pads and gold wires are used for internal connections, pushing 文件：339.66 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L66FV-W	文件：339.66 Kbytes Page：6 Pages	Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM ROHMs series of serial EEPROMs represent the highest level of reliability on the market. A double cell structure provides a failsafe method of data reliability, while a double reset function prevents data miswriting. In addition, gold pads and gold wires are used for internal connections, pushing 文件：339.66 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L66F-W	文件：339.66 Kbytes Page：6 Pages	Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM ROHMs series of serial EEPROMs represent the highest level of reliability on the market. A double cell structure provides a failsafe method of data reliability, while a double reset function prevents data miswriting. In addition, gold pads and gold wires are used for internal connections, pushing 文件：339.66 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L66FJ-WE2	文件：1.53671 Mbytes Page：41 Pages	High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS 文件：1.53671 Mbytes 页数：41 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L66FJ-WE2	文件：1.97777 Mbytes Page：41 Pages	High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series 文件：1.97777 Mbytes 页数：41 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L66FJ-WE2	文件：1.24202 Mbytes Page：39 Pages	Microwire BUS EEPROM 文件：1.24202 Mbytes 页数：39 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L66F-LE2	文件：1.97777 Mbytes Page：41 Pages	High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series 文件：1.97777 Mbytes 页数：41 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L66FVT-WE2	文件：1.24202 Mbytes Page：39 Pages	Microwire BUS EEPROM 文件：1.24202 Mbytes 页数：39 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93L66FVT-WE2	文件：1.97777 Mbytes Page：41 Pages	High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series 文件：1.97777 Mbytes 页数：41 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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技术参数

封装：
TSSOP-B8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Series：
BR93L-W
Density [bit]：
4K
Bit Format [Word x Bit]：
256 x 16
Vcc(Min.)[V]：
1.8
Vcc(Max.)[V]：
5.5
Circuit Current (Max.)[mA]：
3
Standby Current (Max.)[μA]：
2
Write Cycle (Max.)[ms]：
5
Input Frequency (Max.)[Hz]：
2M
Endurance (Max.)[Cycle]：
10(6)
Data Retention (Max.)[Year]：
40
I/F：
MicroWire BUS(3-Wire)
Operating Temperature (Min.)[°C]：
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]：
85
Package Size [mm]：
3x6.4 (t=1.2)

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更多BR93L66F供应商更新时间2026-1-22 16:50:00

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