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BR93G86FVM-3B	文件：922.02 Kbytes Page：39 Pages	Serial EEPROM series Standard EEPROM MicroWire BUS EEPROM (3-Wire) 文件：922.02 Kbytes 页数：39 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
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BR93G86FVM-3BE2	文件：922.02 Kbytes Page：39 Pages	Serial EEPROM series Standard EEPROM MicroWire BUS EEPROM (3-Wire) 文件：922.02 Kbytes 页数：39 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93G86FVM-3BE2	文件：944.15 Kbytes Page：39 Pages	Serial EEPROM series Standard EEPROM MicroWire BUS EEPROM (3-Wire) 文件：944.15 Kbytes 页数：39 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93G86FVM-3BGTTR	文件：3.17322 Mbytes Page：40 Pages	MicroWire BUS EEPROM (3-Wire) 文件：3.17322 Mbytes 页数：40 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93G86FVM-3BTR	文件：927.18 Kbytes Page：39 Pages	Serial EEPROM series Standard EEPROM MicroWire BUS EEPROM (3-Wire) 文件：927.18 Kbytes 页数：39 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93G86FVM-3BTR	文件：922.02 Kbytes Page：39 Pages	Serial EEPROM series Standard EEPROM MicroWire BUS EEPROM (3-Wire) 文件：922.02 Kbytes 页数：39 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
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BR93G86FVM-3B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Microwire BUS 16kbit(1024x16bit) EEPROM BR93G86-3B为串行3线式接口方式的串行EEPROM。\n\n数据bit格式为固定的16bit，采用3PIN定为CS PIN的PIN配置。 • 3-line communications of chip select, serial clock, serial data input / output (the case where input and output are shared)\n• Operations available at high speed 3MHz clock (4.5V ~ 5.5V)\n• High speed write available (write time 5ms max.）\n• Same package and pin configuration from 1Kbit to 16Kbit\;	ROHM 罗姆	ROHM

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技术参数

封装：
MSOP8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Series：
BR93G-3B
Density [bit]：
16K
Bit Format [Word x Bit]：
1K x 16
Comment：
Pin rotated type. Cu wire bonding.
Vcc(Min.)[V]：
1.7
Vcc(Max.)[V]：
5.5
Circuit Current (Max.)[mA]：
3
Standby Current (Max.)[μA]：
2
Write Cycle (Max.)[ms]：
5
Input Frequency (Max.)[Hz]：
3M
Endurance (Max.)[Cycle]：
10(6)
Data Retention (Max.)[Year]：
40
I/F：
MicroWire BUS(3-Wire)
Operating Temperature (Min.)[°C]：
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]：
85
Package Size [mm]：
2.9x4 (t=0.9)

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