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BR93G66FVM-3B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Microwire BUS 4kbit(256x16bit) EEPROM 罗姆的串行EEPROM备有各种容量、接口和封装类型的产品，在全球市场上拥有较高的占有率。罗姆的串行EEPROM采用世界标准的总线形式(Microwire、I²C、SPI)，工作电源电压范围广(1.7～5.5V、1.8～5.5V、2.5～5.5V、3.0～3.6V)，适合电池用途。所有产品均为无铅产品，符合RoHS指令。 • 3-line communications of chip select, serial clock, serial data input / output (the case where input and output are shared)\n• High speed write available (write time 5ms max.）\n• 1.7~5.5V single power source action\n• Write mistake prevention function » Write prohibition at power on » Write prohib;	ROHM 罗姆	ROHM
BR93G66FVM-3B	文件：953.31 Kbytes Page：40 Pages	MicroWire BUS EEPROM (3-Wire) 文件：953.31 Kbytes 页数：40 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93G66FVM-3BGTTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：4KBIT, MICROWIRE BUS, LOW POWER	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
BR93G66FVM-3GTTR	文件：1.22002 Mbytes Page：40 Pages	MicroWire BUS EEPROM (3-Wire) 文件：1.22002 Mbytes 页数：40 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
MSOP8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Series：
BR93G-3B
Density [bit]：
4K
Bit Format [Word x Bit]：
256 x 16
Comment：
Pin rotated type. Cu wire bonding.
Vcc(Min.)[V]：
1.7
Vcc(Max.)[V]：
5.5
Circuit Current (Max.)[mA]：
3
Standby Current (Max.)[μA]：
2
Write Cycle (Max.)[ms]：
5
Input Frequency (Max.)[Hz]：
3M
Endurance (Max.)[Cycle]：
10(6)
Data Retention (Max.)[Year]：
40
I/F：
MicroWire BUS(3-Wire)
Operating Temperature (Min.)[°C]：
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]：
85
Package Size [mm]：
2.9x4 (t=0.9)

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