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BR93G46FVM-3A	文件：1.0172 Mbytes Page：40 Pages	MicroWire BUS EEPROM (3-Wire) 文件：1.0172 Mbytes 页数：40 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93G46FVM-3AE2	文件：941.43 Kbytes Page：39 Pages	Serial EEPROM series Standard EEPROM 文件：941.43 Kbytes 页数：39 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93G46FVM-3AE2	文件：943.91 Kbytes Page：39 Pages	Serial EEPROM series Standard EEPROM 文件：943.91 Kbytes 页数：39 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93G46FVM-3ATR	文件：941.43 Kbytes Page：39 Pages	Serial EEPROM series Standard EEPROM 文件：941.43 Kbytes 页数：39 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93G46FVM-3ATR	文件：943.91 Kbytes Page：39 Pages	Serial EEPROM series Standard EEPROM 文件：943.91 Kbytes 页数：39 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR93G46FVM-3A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Microwire BUS 1kbit(64x16bit) EEPROM BR93G46-3A是串行3线式接口方式的串行EEPROM。\n\n数据bit格式为固定的16bit，采用1PIN定为CS PIN的标准PIN配置。 • 3-line communications of chip select, serial clock, serial data input / output (the case where input and output are shared)\n• High speed write available (write time 5ms max.）\n• 1.7~5.5V single power source operation\n• Write mistake prevention function » Write prohibition at power on » Write pro;	ROHM 罗姆	ROHM
BR93G46FVM-3AGTTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC EEPROM 1KBIT SPI 3MHZ 8MSOP	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
MSOP8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Series：
BR93G-3A
Density [bit]：
1K
Bit Format [Word x Bit]：
64 x 16
Comment：
Cu wire bonding.
Vcc(Min.)[V]：
1.7
Vcc(Max.)[V]：
5.5
Circuit Current (Max.)[mA]：
3
Standby Current (Max.)[μA]：
2
Write Cycle (Max.)[ms]：
5
Input Frequency (Max.)[Hz]：
3M
Endurance (Max.)[Cycle]：
10(6)
Data Retention (Max.)[Year]：
40
I/F：
MicroWire BUS(3-Wire)
Operating Temperature (Min.)[°C]：
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]：
85
Package Size [mm]：
2.9x4 (t=0.9)

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