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BR34E02FVT-WE2	文件：1.18422 Mbytes Page：20 Pages	DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory ●Description BR34E02FVT-Wis256×8bitElectricallyErasablePROM(BasedonSerialPresenceDetect) ●Features ・256×8bitarchitectureserialEEPROM ・Wideoperatingvoltagerange:1.7V-3.6V ・Two-wireserialinterface ・HighreliabilityconnectionusingAupadsandAuwires ・Se	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BR34E02FVT-WE2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

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BR34E02FVT-WE2

文件：1.18422 Mbytes

Page：20 Pages

DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory

●Description BR34E02FVT-Wis256×8bitElectricallyErasablePROM(BasedonSerialPresenceDetect) ●Features ・256×8bitarchitectureserialEEPROM ・Wideoperatingvoltagerange:1.7V-3.6V ・Two-wireserialinterface ・HighreliabilityconnectionusingAupadsandAuwires ・Se

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

BR34E02FVT-WE2

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB

Rohm Semiconductor

产品属性

产品编号：
BR34E02FVT-WE2
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
EEPROM
技术：
EEPROM
存储容量：
2Kb（256 x 8）
存储器接口：
I²C
写周期时间 - 字，页：
5ms
电压 - 供电：
1.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：
8-TSSOP-B
描述：
IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB

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