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BR25L010FVT-WE2中文资料电可擦除可编程只读存储器 SPI 128X8 BIT数据手册ROHM规格书
| 厂商型号 |
BR25L010FVT-WE2 |
| 参数属性 | BR25L010FVT-WE2 封装/外壳为8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC EEPROM 1KBIT SPI 5MHZ 8TSSOPB |
| 功能描述 | 电可擦除可编程只读存储器 SPI 128X8 BIT |
| 封装外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 14:52:00 |
| 人工找货 | BR25L010FVT-WE2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BR25L010FVT-WE2规格书详情
简介
BR25L010FVT-WE2属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的BR25L010FVT-WE2存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 产品编号：
BR25L010FVT-WE2
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
EEPROM
- 技术：
EEPROM
- 存储容量：
1Kb（128 x 8）
- 存储器接口：
SPI
- 写周期时间 - 字，页：
5ms
- 电压 - 供电：
1.8V ~ 5.5V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-TSSOP-B
- 描述：
IC EEPROM 1KBIT SPI 5MHZ 8TSSOPB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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