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BR256W	文件：429.53 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-25Amperes FEATURES Surgeoverloadratings-400Amperes PlasticcasewithheatsinkforMaximumHeatDissipation *Lowforwardvoltagedrop	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
BR256W	文件：102.25 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER FEATURES ●Lowcost ●ThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Integrallymoldedheatsinkprovideverylowthermalresistance ●Highisolationvoltagefromcasetolugs ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10	MIC MIC GROUP RECTIFIERS
BR256W	文件：195.92 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER FEATURES •Lowcost •ThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 •Highforwardsurgecurrentcapability •Integrallymoldedheatsinkprovideverylowthermalresistance. •Highisolationvoltagefromcasetoleads. •Hightemperaturesolderingguaranteed:260/10	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
256	文件：1.11117 Mbytes Page：3 Pages	MAGNETIC-LATCHINGDPDTHALF-SIZECRYSTALCANMILITARYRELAY	TELEDYNE TELEDYNE
256	文件：564.56 Kbytes Page：5 Pages	3M??Scotch짰PrintableFlatbackPaperTape256	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
256	文件：653.84 Kbytes Page：2 Pages	PGAZIFTest&Burn-inSocketforAnyFootprintonStd8x8to21x21Grid FEATURES •StrongMetalCamActivatesNormally-closedContacts,PreventingDependencyonPlasticfor ContactForce •HandlemountedonRight-orLeft-handSide •AnyFootprintAcceptedonStandard13x13to21x21Grid GENERALSPECIFICATIONS •SOCKETBODY:blackUL94V-0PolyphenyleneSulfid	ARIES Aries Electronics,inc
256B	文件：343.53 Kbytes Page：21 Pages	256b/257bTranscodingfor100Gb/sBackplaneandCopperCable	IBM IBM Microelectronics
256FBGA	文件：1.05549 Mbytes Page：136 Pages	32-bitARM7TDMIRISCstaticCMOSCPUcore OVERVIEW TheHMS30C7202isahighlyintegratedlowpowermicroprocessorforpersonaldigitalassistants,andotherapplicationsdescribedbelow.ThedeviceincorporatesanARM720TCPUandsysteminterfacelogictointerfacewithvarioustypesofdevices.HMS30C7202isahighlymodulardesignbase	HynixHynix Semiconductor SK海力士海力士半导体
256-FBGA	文件：1.05549 Mbytes Page：136 Pages	32-bitARM7TDMIRISCstaticCMOSCPUcore OVERVIEW TheHMS30C7202isahighlyintegratedlowpowermicroprocessorforpersonaldigitalassistants,andotherapplicationsdescribedbelow.ThedeviceincorporatesanARM720TCPUandsysteminterfacelogictointerfacewithvarioustypesofdevices.HMS30C7202isahighlymodulardesignbase	HynixHynix Semiconductor SK海力士海力士半导体
256LBGA	文件：84.43 Kbytes Page：1 Pages	256LBGA/LBGNPACKAGEOUTLINE	SMSC SMSC
256MBDDRSDRAM	文件：658.68 Kbytes Page：51 Pages	DDRSDRAMSpecificationVersion0.3 KeyFeatures Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readl	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
256PMG-SI	文件：117.54 Kbytes Page：6 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技
256PMG-SI	文件：115.18 Kbytes Page：6 Pages	AluminumElectrolyticCapacitorsPowerMiniaturizedGeneralPurpose-Snap-In FEATURES •Usefullife:2000hat+105°C,>5000hat+85°C •Voltagerangefrom16Vto100V •Polarizedaluminumelectrolyticcapacitors, non-solidelectrolyte •Pressurereliefonthetopofthealuminumcase •PETinsulationsleeve •Materialcategorization:fordefinitionsofcompli	VishayVishay Siliconix 威世科技
256X	文件：72.11 Kbytes Page：1 Pages	WILMAR??ProtectiveRelays-250Series,Over/Undervoltage	MACOM Tyco Electronics
AIMB-256	文件：1.41201 Mbytes Page：3 Pages	Intel짰Core??2DuoMini-ITXwithVGA/DVI/LVDS,4COMandDualLAN	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华研华科技
AM256	文件：151.1 Kbytes Page：2 Pages	PRESSFITAUTOMOTIVERECTIFIER	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司
AN256	文件：210.48 Kbytes Page：8 Pages	INTEGRATEDPHASENOISE	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司
AN256	文件：395.78 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowVoltageDropLED	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AOB256L	文件：292.83 Kbytes Page：6 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOB256LusestrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdeviceisideal	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOB256L	文件：297.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
BR256W
功能描述：
桥式整流器 25A 600V-Wire Leads
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

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